悬臂探针卡
悬臂探针卡主要用于小间距、键合焊线封装类芯片测试。能够支持单排最小40um pad管脚间距、20/40um交错型排列设计,其超短悬臂设计可良好应用于3 GHz@ -3dB高速芯片测试。悬臂探针卡的针痕具有高度一致性,能够保障封装过程键合焊线的可靠性。
应用领域
MCU

MCU

模拟芯片

模拟芯片

数字芯片

数字芯片

存储芯片

存储芯片

悬臂探针卡
相关产品
Standard cantilever probe card(悬臂探针卡)
• 针痕的一致性
• 最小支持单排40um pad间距、20/40um交错型设计,针数可达到3000针以上
• 极致性价比的测试方案
Short beam probe card(悬臂探针卡)
• 可支持高达3 GHz @-3 dB的高速测试
• 针痕的一致性
• 极致性价比的测试方案
垂直探针卡
垂直探针卡专为小间距、倒封装式芯片测试而设计,具有高耐电流能力。适合矩阵排列、四边排列的倒封装植球测试(锡球、铜柱植球和微凸点)、pad管脚测试应用,其卓越的测试稳定性和多并行度测试能力适用于图形处理芯片、处理器、游戏微处理器、汽车控制器等。
应用领域
AI

AI

CPU

CPU

GPU

GPU

MCU

MCU

APU

APU

FPGA

FPGA

垂直探针卡
相关产品
WST Cobra Vertical Probe Card(垂直探针卡)
• 具有最优性价比
• 针数最高可达3000针
• 最小支持80um pad间距
• 水平度在±12.5um以内
• 测试频率最高可达50-100MHZ
MLO/MLC Cobra Vertical Probe Card(垂直探针卡)
• 最高针数可达2万针以上
• 最小支持80um pad间距
• 水平度在±12.5um以内
• 测试频率最高可达16Gbps
麒麟探针卡
麒麟探针卡是为晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的产品测试应用而设计,其测试的bump间距范围为200um以上。具有卓越的水平控制和稳定性,可以确保在测试过程中接触压力的一致性。针尖样式可根据实际的产品应用来优化接触面积,同时减少针尖磨损与锡球的变形。通过不同材料的选用可以对高速信号进行优化,或满足高/低功率电源的测试要求。
应用领域
WLCSP

WLCSP

200um+ bump/pad test

200um+ bump/pad test

麒麟探针卡
相关产品
麒麟探针卡
• 针对目标应用提供了宽泛的弹簧针种,bump间距范围为200um以上
• 可提供多种探针针尖材料以实现寿命的最大化
• 可替换单个探针,方便维护
3D MEMS探针卡
▶3D MEMS系列产品为FormFactor Inc.中国区独家合作伙伴。
3D MEMS微悬臂技术探针卡是制造微米级精度的探针,是与芯片上的IO和电源信号实现连接的关键。3D MEMS微悬臂探针卡已经成为支持尖端半导体工艺节点和先进封装的小间距、高针数等复杂测试需求的理想选择。
应用领域
SOC

SOC

FLASH

FLASH

SRAM

SRAM

DRAM

DRAM

3D MEMS探针卡
相关产品
Takumi Probe Card(3D MEMS)
• 最小支持30umx30um的Pad尺寸
• 优越的接触阻抗性能,能够为可靠的晶圆参数测量提供保障
• 自研的3D MEMS微悬臂技术可实现针卡寿命超过100万次的测试
Hikari Probe Card(3D MEMS)
• 通过并行优化阵列配置,减少测试接触次数——业界首个投入生产的x32和x64阵列
• 宽温度范围内的小接触划痕,并有效减少针尖碎屑
• 测试速度高达5 Gbps,具有高并行性
• 可定制镜头模块,用于增加分割像素、光学扩散选项
• 元器件可以极限靠近被测产品
TrueScale Probe Card(3D MEMS)
• 3D MEMS微悬臂探针的设计
• 高管脚数,目前最高支持20万针
• 小pad的测试应用
• 在宽温度范围-40℃-150℃测试的情况下能够快速完成产品设置,提高针卡利用率和测试产出
• 最小支持50um pad间距,并有效地控制针尖平坦度
Smart Matrix/Touch Matrix Probe Card(3D MEMS)
• 在12inch存储器晶圆测试领域优势突出,可以实现一次接触测试全片,最大程度上节约成本
• 通过采用ATRE技术实现高并行度探针卡设计,帮助客户提高测试效率,降低测试成本
• 采用TTRE技术提高信号传输的稳定性,实现更高的测试频率
• 3D MEMS微悬臂探针的结构设计,保证了良好的针尖位置以及针尖痕迹
• 良好的热传导性能以及结构设计的多样性,使用简单方便,容易维修,同时保障了针卡在测试量产的良好利用率
HFTAP Probe Card(3D MEMS)
• K40支持存储芯片晶圆级高速测试,最高支持4.0 GHz/8.0 Gbps
• 常规能够支持LPDDR4X, DDR5, LPDDR5, HBM3, HBM3E, GDDR5 和GDDR6等产品的高速测试
• 支持宽温度测试要求(-40°C至+125°C)
• 支持灵活的Pad排列布局并具有优异的接触性能,延长探针卡的使用寿命
• 卓越的耐电流能力
• 最小支持50um间距的Pad ,可支持极小Pad的扎针测试
Membrane/pProbe射频探针卡
▶Membrane/pProbe射频探针卡为FormFactor Inc.中国区独家合作伙伴。
Membrane/pProbe射频探针卡用于半导体晶片测试,可以提供最佳的射频性能,并在保持从测试仪接口到芯片信号完整性方面具有卓越的性能。Membrane/pProbe针卡能够实现超过80 GHz的测试频率,为射频应用提供最高保真度的测量,其具有最小的划痕度和低电感值,能够进行大批量制造和工程应用。Membrane/pProbe针卡具有探针卡中最低的对地电感,可对从手机射频前端部件到汽车雷达芯片的任何射频应用进行全面测试。
应用领域
5G

5G

Filter

Filter

Auto Radar

Auto Radar

MMW

MMW

Membrane/pProbe射频探针卡
相关产品
Membrane/pProbe射频探针卡
• 高带宽信号传输microstrip设计确保了从针卡到针尖的信号完整性
• 具有自研专利的接地和电源平面设计,带有旁路电容器,直接为DUT提供无谐振的稳定电源
• 针尖设计具有一致的低接触阻抗和低电感值,可确保测量的准确度和重复稳定性
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